MPCVD設備在沉積金剛石膜的工藝方面具有以下共性∶

1. 碳源。包括各種含碳化合物甚至石墨，如烷、烴、烯、炔醇、酮、CO、CO2及CF4等；

2. 氫氣。這是抑制石墨形核、生長并刻蝕共生石墨的主要氣體；

3. 合適的碳氫比。氣源中C/H比一般在10%以下；

4. 合適的基片溫度。除低溫沉積的特殊性外，基片溫度一般限制在700℃-1200℃的范圍內(nèi)；

5. 低的工作氣壓。一般小于一個大氣壓。

6. 氣體激活技術。至少要有一種（或幾種）氣體激活技術來激發(fā)碳源和氫氣，產(chǎn)生具有活性含碳基團和原子氫的金剛石膜沉積氣氛。