本公司可提供多種鍍膜方式：MBE（分子束外延）/ALD（原子層沉積）/Magnetron sputtering（磁控濺射鍍膜）等。

MBE（分子束外延）：外延溫度低，膜層生長速率慢，束流強(qiáng)度易于準(zhǔn)確控制，膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調(diào)整。可制備薄到幾十個(gè)原子層的單晶薄膜，以及交替生長不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子阱微結(jié)構(gòu)材料。

ALD（原子層沉積）：是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù)，所制備薄膜具有優(yōu)良的三維共形性、大面積的均勻性等特點(diǎn)，適應(yīng)于復(fù)雜高深寬比襯底表面沉積制膜，同時(shí)還能保障正確的亞單層膜厚控制。

Magnetron sputtering（磁控濺射鍍膜）：利用Ar離子轟擊靶材，產(chǎn)生陰極濺射，把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術(shù)。幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積，而不論其熔化溫度如何；可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置；可以沉積合金和化合物的薄膜，同時(shí)保持與原始材料相似的組成。